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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | IRF540NSTRLPBF | 패키지/케이스: | D2PAK-3 (TO-263-3) |
|---|---|---|---|
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 100 v | Id - 연속 드레인 전류: | 33A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 44mΩ | Qg - 게이트 요금: | 47.3nC |
| 강조하다: | 100V 드레인 소스 전압 전력 MOSFET,33A 연속 드레인 전류 MOSFET 트랜지스터,44mΩ 드레인 소스 저항 N채널 MOSFET |
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| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 1960 pF @ 25V |
| 전력 분산 (최대) | 130W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D2PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| AGFB022R24C2I3V | BGA |
| AGFB022R31C2I1VAA | BGA |
| AGFB022R31C3E4X | BGA |
| AGFB022R31C3I3E | BGA |
| AGFB027R24C2E1V | BGA |
| AGFB027R24C2E2V | FBGA-2340 |
| AGFB027R31C3E3V | FBGA-3184 |
| AGFB006R16A2E3E | BGA |
| AGFB008R16A2E4X | BGA |
| AGFB008R16A2I3V | BGA |
| AGIB019R18A2E1V | BGA |
| AGID019R18A2E1V | FBGA-1805 |
| AGFB008R24C2I3V | BGA |
| AGFB008R24C3E4X | BGA |
| AGFB023R25A2I3V | BGA |
| AGFB008R24D2E2V | BGA-2340 |
| AGFD019R31C2I3E | FBGA-3184 |
| AGFD019R31C2I3V | FBGA-3184 |
| AGFD023R31C3E4X | FBGA-3184 |
| AGIB019R31B1E2V | BGA-3184 |
| AGID023R18A2E2VR0 | FBGA-1805 |
| AGFB022R31C3I3V | BGA |
| AGIB027R31B2E3V | BGA |
| AGFB019R24C2E3V | BGA-2340 |
| AGFB008R16A2E2VB | BGA-1546 |
| AGFD023R24C3E4X | BGA-2340 |
| AGID023R31B1E1VB | BGA-3184 |
| AGIB027R31A2E2VB | BGA-3184 |
| AGFB027R25A2I3V | BGA |
| AGFB008R24C3I3E | BGA |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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