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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | IQEH50NE2LM7ZCG | 트랜지스터 폴라릿: | n 채널 |
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| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 25 Ｖ | Id - 연속 드레인 전류: | 422 A |
| Pd - 전력 손실: | 150 W. | Qg - 게이트 요금: | 29nC |
| 강조하다: | 25V 드레인-소스 전압 전력 MOSFET 트랜지스터,54A 연속 드레인 전류 전력 MOSFET 트랜지스터,150W 전력 손실 전력 MOSFET 트랜지스터 |
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IQEH50NE2LM7ZCG는 OptiMOSTM 7 N 채널 25V 54A 전력 MOSFET 트랜지스터입니다. 이 고급 전력 반도체는 데이터 센터, 서버,인공지능 기반, 그리고 다른 까다로운 응용 프로그램.
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 54A (Ta), 422A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 0.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 1.7V @ 432μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 12V |
| 전력 분산 (최대) | 2.5W (Ta), 150W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| NCL30488B1DR2G | 7-SOIC |
| NCL30488B2DR2G | 7-SOIC |
| NCL30486B2DR2G | 9-SOIC |
| LT3744IUHE | 36-QFN |
| MPQ3326AGRE-AEC1 | 24-QFN |
| NCL31000MNSTWG | 48-QFN |
| MAX16835ATE | 16-TQFN |
| MAX20070BGTJA/V | 32-TQFN |
| TLD21421EPXUMA1 | TSDSO-14 |
| LT3475EFE-1 | 20-TSSOP |
| LT3797ELXE | 48-LQFP |
| LT8500ETJ | QFN-56 |
| LT3755HMSE-2 | 16-MSOP |
| TLD5097EPXUMA1 | TSDSO-14 |
| TLD5190QUXUMA1 | TQFP-48 |
| MAX20051AUD/V | 14-TSSOP |
| LTC3218EDDB | 10-DFN |
| LP8861QPWPRQ1 | 20-HTSSOP |
| MAX20070GTJ/V | 32-TQFN |
| LT3761HMSE | 16-MSOP |
| ADP1650ACPZ | 10-LFCSP |
| TPS923655DMTR | 14-VSON |
| TPS923652DYYR | SOT-23-14 |
| TPS923655HMDMTR | 14-VSON |
| TPS923654DRRR | 12-SON |
| TPS923654HMDMTR | 14-VSON |
| TPS923655MDMTR | 14-VSON |
| TPS923654MDMTR | 14-VSON |
| TPS923653DYYR | SOT-23-14 |
| TPS923654DMTR | 14-VSON |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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