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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | ISZ053N08NM6 | FET 유형: | n 채널 |
|---|---|---|---|
| 기술: | MOSFET(금속 산화물) | 드레인-소스 전압(Vdss): | 80 Ｖ |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C: | 14.2A(Ta), 90A(Tc) | 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐): | 8V, 10V |
| 강조하다: | 80V 드레인-소스 전압 전력 MOSFET,엔-채널 MOSFET 트랜지스터,OptiMOS™ 6 기술 집적 회로 칩 |
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ISZ053N08NM6 OptiMOSTM 6 80V는 최신 전력 MOSFET 기술을 대표하며 포괄적인 포트폴리오 제공으로 새로운 산업 기준 성능을 설정합니다.인피니온의 첨단 얇은 웨이퍼 기술은 상당한 성능 향상을 가능하게 합니다, PQFN 3.3x3.3 패키지에서 >28% 낮은 RDS ((on) 및 ~40% 향상된 FOM을 포함하여.
성능 향상은 더 쉬운 열 설계를 촉진하고 병렬 요구 사항을 줄여 시스템 효율성을 높이고 전력 밀도를 높이고 전체 시스템 비용을 줄이도록합니다.인피니온의 OptiMOSTM 6 80V 제품군은 통신을 포함한 높은 스위칭 주파수 애플리케이션에 이상적입니다., 서버 및 태양광 시스템, 그리고 성능 향상 덕분에 배터리 전동 애플리케이션 및 배터리 관리 시스템 (BMS) 에서도 활용 될 수 있습니다.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 14.2A (Ta), 90A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 8V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 3.5V @ 36μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 40V |
| 전력 분산 (최대) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| STO47N60M6 | 8-PowerSFN |
| SCT060HU75G3AG | HU3PAK |
| STH60N099DM9-2AG | H2PAK-2 |
| TSB182IYST | 8-MiniSO |
| TSZ151ICT | SOT-323-5 |
| TSB624IYPT | 14-TSSOP |
| TSZ151IYCT | SOT-323-5 |
| TSB514IYPT | 14-TSSOP |
| LM2902BYPT | 14-TSSOP |
| TSL6002IST | 8-MiniSO |
| TSB512IDT | 8-SOIC |
| TSB622IDT | 8-SOIC |
| TSL6202IST | 8-MiniSO |
| LM2902YQ5T | 16-QFN |
| LM2904BYDT | 8-SOIC |
| LM2903BYPT | 8-TSSOP |
| LM2904YQ6T | 8-DFN |
| LM2903WST | 8-MiniSO |
| TSB182IDT | 8-SOIC |
| TSB182IYDT | 8-SOIC |
| TSB624IDT | 14-SOIC |
| TSB624IYDT | 14-SOIC |
| FDA903S-6DT | 32-VFQFPN |
| FDA803S-6DT | 32-VFQFPN |
| LM2904HYPT | 8-TSSOP |
| TSV794IYPT | 14-TSSOP |
| TSV774IPT | 14-TSSOP |
| TSV794IPT | 14-TSSOP |
| TSL6001ICT | SC-70-5 |
| TSL6004IPT | 14-TSSOP |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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