NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFastTM FET 고성능 eMode GaN FET IC

Name: NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFastTM FET 고성능 eMode GaN FET IC
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NV6045C
Availability: InStock

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인증

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NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFastTM FET 고성능 eMode GaN FET IC

큰 이미지 : NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFastTM FET 고성능 eMode GaN FET IC

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	Original Factory
인증:	Lead free / RoHS Compliant
모델 번호:	NV6045C

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	10
가격:	Contact for Sample
포장 세부 사항:	표준 패키지
배달 시간:	영업일 기준 3-5일
지불 조건:	티/티
공급 능력:	일 당 10000 조각

접촉

NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFastTM FET 고성능 eMode GaN FET IC

설명

강조하다:

NV6045C GaN IC

NV6045C

NV6045C GaN IC 650V 210mOhm GaNFast™ FET

650V 정격 및 210mOhm 온 저항을 갖춘 고성능 eMode GaN FET IC로 효율적인 전력 변환 애플리케이션에 적합합니다.

MJD 장점

전자 부품 15년 이상 경험
안전한 주문 프로세스
우수한 고객 피드백
보장된 배송일
100% 최저가 보장
99.9% 고객 만족률로 108개국 수출

회사 소개

심천 명가다 전자 유한 회사는 세계적으로 유명한 브랜드의 전자 부품 공인 독립 유통업체입니다. 1996년 심천에 설립된 명가다는 홍콩, 일본, 러시아, 대만에 지사를 설립했습니다. 회사는 ISO9001:2014 품질 경영 및 ISO14001:2014 환경 경영 인증을 보유하고 있습니다. 영업, R&D 및 경영 분야의 숙련된 팀을 통해 500개 이상의 유명 제조업체의 제품을 유통하며, 포괄적인 제품 제공 및 전문 서비스를 통해 고객 이익을 극대화한다는 원칙을 준수합니다.

품질 검사

이용 가능한 전자 부품

부품 번호	패키지
PIC32MZ1024EFF100T-E/PT	TQFP100
EFM32GG11B420F2048GL112-B	112-BGA
ISL3332IAZ-T	28-SSOP
CYPD5137-40LQXIT	QFN40
TUSB546A-DCIRNQR	WQFN40
CP2102N-A02-GQFN24	QFN-24
EC25EFA-MINIPCIE	Mini PCIe
EG25GGD-MINIPCIE	Mini PCIe
GD25LQ32ENIGR	WSON8
MAX98390CEWX+T	WLP-36
SLB9670VQ2.0	VQFN32
PM8533B-F3EI	BGA
TPS65983ACZQZR	BGA96
SLB9665TT2.0	TSSOP-28
LCMXO2-2000HC-4FTG256C	BGA256
553SDCGI8	SOP8
STM32F411RET6	LQFP64
88E6390-A0-TLA2C000	TQFP144
SIT8918BE-21-18N-100.000000D	4-SMD
PI3DBS12212AXUAEX	QFN18
SX05-0B00-00	BGA
MAX78002GXE	144-CSBGA
MAX78000EXG	81-CTBGA
MAX32666GWP	WLP-109
MAX32666GWPBT	WLP-109
MAX32666GXMBL	CTBGA-121
MAX32666GXMBT	CTBGA-121
MAX32655GXG	BGA-81
ADUCM355BCCZ	LGA-72
ADUCM4050BCBZ	WLCSP-72

자주 묻는 질문

귀사의 제품은 정품입니까?

네, 모든 제품은 정품입니다. 신규 정품 수입이 저희의 주요 초점입니다.

어떤 인증을 보유하고 있습니까?

저희는 ISO 9001:2015 인증 기업이며 ERAI 회원입니다.

소량 주문 또는 샘플을 지원합니까? 샘플은 무료입니까?

네, 샘플 주문 및 소량 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트 요구 사항에 따라 다릅니다.

주문을 어떻게 배송합니까? 안전합니까?

DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS 등 특송사를 이용합니다. 선호하는 포워더를 이용할 수도 있습니다. 제품은 안전하게 포장되어 안전을 보장하며, 배송 중 제품 손상에 대한 책임은 저희가 집니다.

리드 타임은 어떻습니까?

재고 부품은 5 영업일 이내에 배송합니다. 재고가 없는 품목의 경우 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.

전체 평점

5.0

이 공급자에 대한 50개의 리뷰를 바탕으로

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모든 등급의 분포는 다음과 같습니다.

5 별

100%

4 별

3 별

2 별

1 별

모든 리뷰

し

しょうた

Japan Oct 23.2025

도움 이 될 것 입니다 (50)

It is a great shopping experience,the sales are very professional and very enthusiasm，fast delivery，good quality ,i will buy them next time!

FRANCK

France Sep 10.2025

도움 이 될 것 입니다 (10)

Good product quality, purchasing for the umpteenth time never disappoints, honest and trustworthy seller.recommended!

Jose

South Korea May 24.2025

도움 이 될 것 입니다 (28)

Supplier is highly recommended, kind and fast response.

태그:

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

기타 제품

반 브리지 드라이버 GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 범용

범주: PMIC 가득 찬 하프 브리지 드라이버

시리즈: 쿨간티엠

애플리케이션: 범용

Rds 계속: 140mOhm LS 140mOhm HS

FET 운전자 LMG3411R070RWHR Gan 파워 아이씨 파워 분배 스위치 Ｐ 채널 32VQFN

비율 - 입력:출력: 1:1

인터페이스: 논리, PWM

전압 - 공급 (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

경향 - 출력 (맥스): 12A

통합된 LMG3410R070RWHR GaN IC 전원 스위치 운전자 p 채널 GaN 운전자

출력 구성: 높은 쪽

출력 유형: P-채널

전압 - 부하: 480V (맥스)

전압 - 공급 (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

LMG3422R030RQZR GaN FET 600V 통합된 고립된 GaN 게이트 드라이버

출력 전류: 1.2A

공급 전압 - 민: 7.5 Ｖ

공급 전압 - 맥스: 18V

상승 시간: 4 나노 초

LMG3411R150RWHR Gan 구동기 집적회로 6A VQFN32 배전 스위치 IC n채널

전압 - 부하: 480V (맥스)

전압 - 공급 (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

경향 - 출력 (맥스): 6A

(Typ) 위의 Rds: 150m옴

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NV6045C GaN IC

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VQFN54 통합된 하프 브리지 Gan 운전자들,

LMG3422R030RQZR GaN FET,