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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | BSS169 | 트랜지스터 극성: | n 채널 |
|---|---|---|---|
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 100V | Id - 연속 드레인 전류: | 170 마 |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 2.9옴 | Qg - 게이트 요금: | 2.1 nC |
| 강조하다: | BSS169 N채널 MOSFET 트랜지스터,100V 공핍 모드 MOSFET,SOT23-3 집적 회로 칩 |
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| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 타입 | N 채널, 소모 모드 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 0V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 1.8V @ 50μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.8 nC @ 7V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
| 전력 분산 (최대) | 360mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | PG-SOT23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| LCMXO2-1200ZE-2TG100I | 100TQFP |
| LCMXO3L-2100C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-2100C-5BG256I | 256-CABGA |
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | 324-CSFBGA |
| LCMXO2-1200ZE-3MG132I | 132-CSPBGA |
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-6900E-5MG256I | 256-CSFBGA |
| LCMXO3L-6900E-6MG256C | 256-VFBGA |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
Korean
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