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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | BSC046N10NS3G | 트랜지스터 극성: | n 채널 |
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| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 100V | Id - 연속 드레인 전류: | 100 A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 4m옴 | Qg - 게이트 요금: | 63 nC |
BSC046N10NS3G 통합 회로 칩 100V OptiMOSTM 3 시리즈 N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터
BSC046N10NS3G의 제품 설명
BSC046N10NS3G는 100V, OptiMOSTM 전력 MOSFET 트랜지스터로, 고효율, 고전력 밀도 SMPS를 위한 우수한 솔루션을 제공합니다.다음 최고의 기술에 비해 이 가족은 R DS ((on) 과 FOM (공로 수치) 에서 30%의 감축을 달성합니다..
BSC046N10NS3G의 사양
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시리즈
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OptiMOSTM 3
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FET 타입
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N 채널
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기술
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MOSFET (금속산화물)
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소스 전압 (Vdss)
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100V
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전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C
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17A (Ta), 100A (Tc)
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구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
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6V, 10V
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Rds ON (Max) @ Id, Vgs
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4.6mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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3.5V @ 120μA
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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63 nC @ 10 V
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Vgs (최대)
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±20V
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입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
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4500pF @ 50V
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전력 분산 (최대)
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156W (Tc)
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작동 온도
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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장착형
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표면 마운트
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공급자의 장치 패키지
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PG-TDSON-8-7
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패키지 / 케이스
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8-PowerTDFN
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BSC046N10NS3G의 특징
고주파 애플리케이션에 매우 낮은 게이트 요금
DC-DC 변환을 위해 최적화
N 채널, 정상 수준
우수한 게이트 요금 x R DS ((on) 제품 (FOM)
매우 낮은 전압 저항 R DS (전압)
150 °C의 작동 온도
Pb 없는 납 접착; RoHS 준수
JEDEC1) 에 따라 자격을 얻었습니다.
BSC046N10NS3G의 장점
효율성 향상
최고 전력 밀도
더 적은 병렬이 필요합니다.
가장 작은 보드 공간 소비
디자인하기 쉬운 제품
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FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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