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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | HCNW3120-500E | 전압 - 절연: | 5000Vrms |
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| (민) 공통 모드 트랜지엔트 면역: | 25kV/us | 전달 지연 트플에 / 티피하들 (맥스): | 500 나노 초, 500 나노 초 |
| 펄스 폭 왜곡 (맥스): | 300ns | 상승 / 낙하 시간 (타이핑): | 100 나노 초, 100 나노 초 |
HCNW3120-500E는 GaAsP LED를 포함하고 HCPL-J312 및 HCNW3120-500E는 AIGaAs LED를 포함합니다. LED는 전력 출력 스테이지와 통합 회로에 광적으로 연결됩니다.이 광 결합기는 모터 제어 인버터 응용 프로그램에서 사용되는 구동 전력 IGBT 및 MOSFET에 이상적으로 적합합니다..
출력 단계의 높은 작동 전압 범위는 게이트 제어 장치에 필요한 드라이브 전압을 제공합니다.이러한 광 결합기에서 공급되는 전압과 전류는 1200V/100A까지 등급을 가진 IGBT를 직접 구동하는 데 이상적으로 적합합니다.더 높은 등급의 IGBT를 위해 HCPL-3120 시리즈는 IGBT 게이트를 구동하는 분리 전력 단계를 구동하는 데 사용할 수 있습니다.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 채널 수 | 1 |
| 전압 - 격리 | 5000Vrms |
| 일반 모드 일시 면역력 (분) | 25kV/μs |
| 증식 지연 tpLH / tpHL (최대) | 500nm, 500nm |
| 펄스 너비 왜곡 (최대) | 300n |
| 상승 / 하락 시간 (형) | 100nm, 100nm |
| 전류 - 출력 높고 낮은 | 2A, 2A |
| 전류 - 최고출력 | 2.5A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (형) | 1.6V |
| 전류 - DC 전향 (if) (max) | 25mA |
| 전압 - 출력 공급 | 15V ~ 30V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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