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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | SCT4013DLLTRDC | 드레인-소스 전압(Vdss): | 750 Ｖ |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C: | 120A(티씨) | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 58A, 18V에 있는 16.9mOhm |
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 18 Ｖ에 있는 170 nC | 전력 소실 (최대): | 405W |
SCT4013DLLTRDC 집적 회로 칩 SiC MOSFET 750V 120A N 채널 실리콘 탄화물 전력 MOSFET
SCT4013DLLTRDC는 TOLL(TO-LeadLess) 패키지로 제공되는 750V, 120A, 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET입니다. TOLL 패키지는 컴팩트한 폼 팩터로 탁월한 방열 및 고전류 기능을 제공하여 기존 TO-263 패키지에 비해 설치 공간을 약 26% 줄입니다. 또한 낮은 게이트 저항은 스위칭 손실을 줄여 애플리케이션의 전력 소비를 낮추는 데 기여합니다. 서버 전원 공급 장치 및 PV 인버터 외에도 로우 프로파일 설계로 최신 슬림형 전원 공급 장치에 이상적입니다.
| 제품 카테고리: | SiC MOSFET |
|---|---|
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | 통행료-9 |
| 트랜지스터 극성: | N 채널 |
| 채널 수: | 1채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 750V |
| Id - 연속 배수 전류: | 120A |
| Vgs th - 게이트 소스 임계값 전압: | 4.8V |
| Qg - 게이트 요금: | 170nC |
| 최대 작동 온도: | + 175°C |
| Pd - 전력 소비: | 405W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 구성: | 하나의 |
| 가을 시간: | 17ns |
| 상승 시간: | 32ns |
| 기술: | SiC |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 17ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 82ns |
| 부품 번호 | 패키지 |
|---|---|
| NXH240B120H3Q1S1G | 기준 치수 |
| NXH240B120H3Q1P1G | 기준 치수 |
| NXH600B100H4Q2F2SG | 기준 치수 |
| NXH600B100H4Q2F2PG | 기준 치수 |
| SNXH600B100H4Q2F2S1G-S | 기준 치수 |
| NXH600B100H4Q2F2S1G | 기준 치수 |
| FNA22512A | SPMCA-A34 |
| FNA23512A | SPMCA-A34 |
| FNA25012A | SPMCA-A34 |
| FNA25060 | SPMCA-A34 |
| FNA41560T2 | SPMAA-C-26 |
| FNB34060T6 | 27-파워딥 |
| NVVR26A120M1WSB | AHPM15 |
| NVVR26A120M1WSS | AHPM15 |
| NVVR26A120M1WST | AHPM15 |
| NVXK2KR80WDT | APM32 |
| NVXK2TR40WXT | APM32 |
| NVXK2TR80WDT | APM32 |
| NXH003P120M3F2PTHG | 기준 치수 |
| NXH003P120M3F2PTNG | 기준 치수 |
| NXH004P120M3F2PTHG | 기준 치수 |
| NXH004P120M3F2PTNG | 기준 치수 |
| NXH008T120M3F2PTHG | 기준 치수 |
| NXH010P120MNF1PG | 기준 치수 |
| NCS32100XMNTXG | 40-QFN |
| NCV77320DB0R2G | 16-TSSOP |
| AR0130CSSM00SPCA0-DRBR | 48-ILCC |
| AR0130CSSC00SPCA0-DPBR | 48-ILCC |
| AR0130CSSC00SPBA0-DR | 48-ILCC |
| AR0130CSSC00SPCA0-DRBR | 48-ILCC |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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