H5AN8G6NDJR-XNC 메모리 IC 칩 8GB DDR4 SDRAM, FBGA-96 패키지 내 3200 Mbps 데이터 레이트

H5AN8G6NDJR-XNC는 8Gb CMOS DDR4(Double Data Rate IV) 동기식 DRAM으로, 대용량 메모리 밀도와 높은 대역폭을 요구하는 메인 메모리 애플리케이션에 이상적입니다.

• VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
• 완전 차동 클럭 입력(CK, CK) 동작
• 차동 데이터 스트로브(DQS, DQS)
• 온 칩 DLL은 CK 전환과 DQ, DQS 및 DQS 전환을 정렬합니다.
• DM은 데이터 스트로브의 상승 및 하강 에지에서 쓰기 데이터 입력을 마스크합니다.
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 및 20 지원
• 프로그래밍 가능한 추가 지연 0, CL-1, CL-2 지원(x4/x8만 해당)
• 프로그래밍 가능한 CAS 쓰기 지연(CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
• 니블 순차 및 인터리브 모드 모두에서 프로그래밍 가능한 버스트 길이 4/8
• BL은 비행 중에 전환됩니다.
• 16개 뱅크
• 평균 새로고침 주기(Tcase 0°C~95°C)
• JEDEC 표준 78볼 FBGA(x4/x8), 78볼 FBGA(x16)
• MRS로 선택된 드라이버 강도
• 동적 온 다이 종단 지원
• ODT 핀으로 전환 가능한 RTT_PARK 및 RTT_NOM과 같은 두 가지 종단 상태
• 비동기식 RESET 핀 지원
• ZQ 보정 지원
• TDQS(종단 데이터 스트로브) 지원(x8만 해당)
• 쓰기 레벨링 지원
• 8비트 사전 가져오기
• RoHS 준수
• 내부 Vref DQ 레벨 생성 가능
• 모든 속도 등급에서 쓰기 CRC 지원
• 최대 절전 모드 지원
• TCAR(온도 제어 자동 새로고침) 모드 지원
• LP ASR(저전력 자동 자체 새로고침) 모드 지원
• 미세 입도 새로고침 지원
• DRAM별 주소 지정 지원
• 기어다운 모드(1/2 속도, 1/4 속도) 지원
• 읽기 및 쓰기를 위한 프로그래밍 가능한 프리앰블 지원
• 자체 새로고침 중단 지원
• CA 패리티(명령/주소 패리티) 모드 지원
• 동일/다른 뱅크 그룹 액세스에 대한 CAS-to-CAS 지연과 함께 적용된 뱅크 그룹화
• DBI(데이터 버스 반전) 지원(x8)

개인용 컴퓨팅 장치: 고성능 노트북 및 미니 PC(NUC)용 메모리 모듈(SO-DIMM); 올인원 PC 및 보급형 데스크톱용 온보드 메모리 설계

서버 및 데이터 센터: 엔터프라이즈급 서버용 메모리 모듈 어셈블리(RDIMM/UDIMM); 데이터 센터 스토리지 어레이의 엣지 노드; 클라우드 컴퓨팅 인프라용 메모리 풀

산업 및 임베디드 시스템: 산업 제어 및 자동화 장비용 시스템 메모리; 네트워크 통신 장비(라우터, 스위치)용 패킷 버퍼링; 의료 기기 및 테스트 및 측정 장비용 메인 메모리

가전 제품: 고성능 스마트 TV, 디지털 셋톱 박스 및 게임 콘솔과 같이 높은 메모리 대역폭을 요구하는 장치