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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | SIR626LDP | 시리즈: | TrenchFET® Gen IV |
|---|---|---|---|
| 드레인-소스 전압(Vdss): | 80 Ｖ | 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C: | 30.7A(Ta), 125A(Tc) |
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 83nC @ 10V | 전력 소실 (최대): | 6.25W(Ta), 104W(Tc) |
| 강조하다: | 60V 드레인 소스 전압 전력 MOSFET,30.7A 연속 드레인 전류 MOSFET,1.5mΩ 드레인 소스 저항 N채널 전력 MOSFET |
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SIR626는 고성능 60V N 채널 전원 MOSFET입니다.4세대 트렌치FET 공정을 사용하여 제조되고 극한의 효율과 고주파 스위치를 요구하는 애플리케이션에 최적화되었습니다.그것의 주요 장점은 매우 낮은 전원 저항 (1.5 mΩ) 과 최적화된 게이트 충전 (41 nC) 을 결합하여 산업 선도적 인 가치 인수 (FOM) 를 제공합니다.전력 변환과 같은 애플리케이션에 이상적인 선택, 동시 직렬 및 높은 효율과 높은 전력 밀도를 요구하는 모터 드라이브.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 제품 분류 | MOSFET |
| 기술 | 네 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 / 케이스 | 파워팩-SO-8 |
| 트랜지스터 극성 | N 채널 |
| 채널 수 | 1 채널 |
| Vds - 배수원 분사 전압 | 60V |
| id - 연속 배수 전류 | 186A |
| Rds ON - 배수원 저항 | 1.5mOhms |
| Vgs - 게이트 소스 전압 | -20V, 20V |
| Vgs th - 게이트 소스 문장 전압 | 1V |
| Qg - 게이트 요금 | 135년 |
| 최소 작동 온도 | -55°C |
| 최대 작동 온도 | +150°C |
| Pd - 전력 분산 | 104W |
| 채널 모드 | 강화 |
| 구성 | 싱글 |
| 가을 시간 | 10 ns |
| 전방전도성 - 분 | 140S |
| 제품 종류 | MOSFET |
| 오기 시간 | 64 ns |
| 트랜지스터 유형 | 1 N 채널 |
| 전형적인 턴오프 지연 시간 | 45 ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간 | 17 ns |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| SGT1D5R10MEA | EN-FCLGA 5x6 |
| SIT92112AI | DFN-8 |
| SIT92211AI | QFN-48 |
| SIT92113AI | QFN-24 |
| SIT92216AI | QFN-32 |
| SIT92110AI | QFN-32 |
| SIT92114AI | DFN-8 |
| SIT92184AA | DFN-8 |
| SIT91211 | QFN-24 |
| SIT8924BA | PQFN-4 |
| SIT8944BA | PQFN-4 |
| SIT5503AC | CQFN-10 |
| SIT9121AI | SMD-6 |
| SIT8944BM | PQFN-4 |
| SIT9346AI | SMD-6 |
| SIT8944BI | PQFN-4 |
| SIT5541AE | CQFN-10 |
| SIT5346AI | CQFN-10 |
| SIT7601AA | PQFN-4 |
| SIT8209AI | PQFN-4 |
| SIT9356AE | SMD-6 |
| SIT9346AE | SMD-6 |
| SIT5501AI | CQFN-10 |
| SIT5501A | CQFN-10 |
| SIT5501AICWU | CQFN-10 |
| SIT9375AC | PQFD-6 |
| SIT9375AI | PQFD-6 |
| SIT9375AB | PQFD-6 |
| SIT9375AE | PQFD-6 |
| SIT9501AC | PQFN-6 |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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