|
제품 상세 정보:
|
| 부품 번호: | CMPA601C025F | 얻다: | 25dB |
|---|---|---|---|
| 작동 주파수: | 6GHz ~ 12GHz | Pd - 전력 손실: | 40W |
| 작동 공급 전류: | 2A | 작동 온도: | -40 ° C ~ 150 ° C |
| 강조하다: | 40W GaN IC,25dB 이득 GaN MMIC,6GHz ~ 12GHz 질화갈륨 HEMT MMIC |
||
CMPA601은 0.25-μm 게이트 길이 제조 공정을 활용한 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 기반 단일 마이크로파 집적 회로(MMIC)로, 탄화규소 기판에 제작되었습니다. SiC 기반 GaN은 실리콘, 갈륨비소 또는 Si 기반 GaN에 비해 더 높은 항복 전압, 더 높은 포화 전자 이동 속도 및 더 높은 열 전도율을 포함한 우수한 특성을 제공합니다. 또한 GaN HEMT는 Si, GaAs 및 Si 기반 GaN 트랜지스터에 비해 더 높은 전력 밀도와 더 넓은 대역폭을 제공합니다. 이 MMIC는 매우 넓은 대역폭을 가능하게 하는 반응 매칭 증폭기 설계 방식을 특징으로 합니다.
| RF 증폭기 | 동작 주파수 |
|---|---|
| 6 GHz ~ 12 GHz | 동작 공급 전압 |
| 28 V | 동작 공급 전류 |
| 2 A | 이득 |
| 25 dB | 유형 |
| 전력 증폭기 | 실장 스타일 |
| 나사 | 기술 |
| GaN | P1dB - 압축점 |
| 46.2 dBm | OIP3 - 3차 차단점 |
| 22 dBm | 최소 동작 온도 |
| -40°C | 최대 동작 온도 |
| +150°C | 입력 반환 손실 |
| -5 dB | 채널 수 |
| 1 채널 | Pd - 전력 소모 |
| 40 W | 주요 특징 |
| WDFN-6 | NCP164AMT330TAG |
|---|---|
| WDFN-6 | NCP164ASN280T1G |
| WDFN-6 | NCP164ASN280T1G |
| TSOP-5 | NCP164ASN280T1G |
| TSOP-5 | NCP81071AZR2G |
| TSOP-5 | NCP81071AZR2G |
| TSOP-5 | NCP81071AZR2G |
| SOIC-8 | NCP81071AZR2G |
| MSOP-8 | NCP81080MNTBG |
| WDFN-8 | NCP58933ABLTXG |
| SOIC-8 | NCP81071CDR2G |
| WDFN-8 | NCP81080MNTBG |
| MSOP-8 | NCP81071CDR2G |
| SOIC-8 | NCP58933ABLTXG |
| MSOP-8 | NCP81080MNTBG |
| DFN-8 | NCP58933ABLTXG |
| PDSO-F9 | NCP58933ABTTXG |
| PDSO-G16 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-G16 | NCP1680AAD1R2G |
| PDSO-F9 | NCP1680AAD1R2G |
| PDSO-F9 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-G16 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-F9 | NCP1680AAD1R2G |
| PDSO-F9 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-F9 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-G16 | NTBT035N65GN1TXG |
| PDSO-G16 | NCP1680AAD1R2G |
| PDSO-G16 | NCP1680AAD1R2G |
| SOIC-9 | NCP1680AAD1R2G |
| SOIC-16 | 제품 태그 |
| CMPA601C025F, CMPA601C025, CMPA601C02, CMPA601C0, CMPA601C, CMPA601 | 자주 묻는 질문 |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
Korean
