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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | LTC4357IDCB | 지연 시간 - 꺼짐: | 300ns |
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| 현재 - 공급: | 500 µA | 전압 - 공급: | 9V ~ 80V |
| 작동 온도: | -40 ° C ~ 85 ° C | 비율 - 입력 : 출력: | N:1 |
| 강조하다: | 포지티브 고전압 집적 회로 칩,9~80V 아이디얼 다이오드 컨트롤러,전력 소비 감소 LTC4357IDCB |
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LTC4357는 초트키 다이오드를 대체하기 위해 외부 N 채널 MOSFET을 구동하는 양성 고전압 이상 다이오드 컨트롤러입니다. 다이오드-OR 및 고전류 다이오드 응용 프로그램에서 사용되면LTC4357는 전력 소비를 줄입니다., 열 분산, 전압 손실, PC 보드 영역.
LTC4357는 전체 시스템 신뢰성을 높이기 위해 쉽게 OR 전원 공급원을 사용합니다. 다이오드-OR 응용 프로그램에서LTC4357는 오스칠레이션 없이 한 경로에서 다른 경로로 원활한 전류 전송을 보장하기 위해 MOSFET을 통해 전압 하락을 제어전원 공급원이 고장나 단축되면 빠른 턴오프로 역전류가 최소화됩니다.
| 출력 전류 | 80 uA |
| 최대 출력 전압 | 80V |
| 최소 작동 온도 | -40°C |
| 최대 작동 온도 | +85°C |
| 입력 전류 | 350 uA |
| 입력 전압 범위 | 9V ~ 80V |
| 가동 공급 전류 | 500 uA |
| 작동 공급 전압 | 9V ~ 80V |
| 출력 전압 범위 | 9V ~ 80V |
| 단위 무게 | 15mg |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| SDINBDA6-32G-ZA | BGA |
| SDINDDH6-256G-I | BGA |
| SDINBDG4-64G-H | BGA |
| SDINDDH6-32G-XI | BGA |
| SDINBDG4-32G-ZI | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZI | BGA |
| SDINADF4-32G-H | BGA |
| SDINBDG4-32G-H | BGA |
| SDINDDH4-256G | BGA |
| SDINBDG4-8G-A | BGA |
| SDINDDH6-16G-ZA | BGA |
| SDINBDG4-16G-H | BGA |
| SDINBDG4-8G-H | BGA |
| SDINDDH6-256G-XI | BGA |
| SDINBDA6-256G-1 | BGA |
| SDINBDG4-64G-A | BGA |
| SDINBDG4-32G-A | BGA |
| SDINDDH4-128G | BGA |
| SDINDDH6-128G-XI | BGA |
| SDINDDH6-64G-XI | BGA |
| SDINBDV4-128G | BGA |
| SDINBDV4-256G | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZA2 | BGA |
| SDINBDA6-32G-XA1T | BGA |
| SDINBDA6-64G-ZA1T | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZAT2 | BGA |
| SDINDDH6-16G-XI | BGA |
| SDINDDH6-256G-XAT | BGA |
| SDINDDH6-64G-ZA | BGA |
| SDINBDV4-64G-P | BGA |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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