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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | IPP65R190CFD | 드레인-소스 전압(Vdss): | 650 v |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C: | 14A (Tc) | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 6.4A, 10V에 있는 190mOhm |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 320uA에 있는 4.5V | 전력 소비: | 77W (Tc) |
| 강조하다: | 650V 전력 MOSFET,190mΩ 집적 회로 칩,14A CoolMOS™ N채널 |
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IPP65R190은 인피니온의 650V CoolMOSTM CFD2 N-Channel Power MOSFET 트랜지스터입니다. 이 2세대 고전압 MOSFET에는 통합된 빠른 보디 다이오드가 있습니다.경쟁 부품에 비해 에너지 효율이 향상되고 EMI 동작이 우수합니다..
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 트랜지스터 극성 | N 채널 |
| 채널 수 | 1 채널 |
| Vds - 배수원 분사 전압 | 650V |
| id - 연속 배수 전류 | 12A |
| Rds ON - 배수원 저항 | 190mOhms |
| Vgs - 게이트 소스 전압 | 20V |
| Vgs th - 게이트 소스 문장 전압 | 4.5V |
| Qg - 게이트 요금 | 23세기 |
| 최소 작동 온도 | -40 °C |
| 최대 작동 온도 | +150 °C |
| Pd - 전력 분산 | 63W |
IPP65R190CFD, IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R190
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| TXU0304DTRR | X2QFN-12 |
| TXU0204PWR | TSSOP-14 |
| TXU0204BQAR | WQFN-14 |
| TXU0204RUTR | UQFN-12 |
| TXU0204DTRR | X2QFN-12 |
| F29H859TU8QZEXRQ1 | NFBGA-256 |
| AM2611공무원 | NFBGA-256 |
| AM2611AODFHIZNCR | NFBGA-293 |
| AM2611AOFFHIZCZ | NFBGA-324 |
| AM2611AODFHIZEJR | NFBGA-256 |
| AM2611A 오피스NCR | NFBGA-293 |
| MSPM0L2116SPMR | LQFP-64 |
| MSPM0L2116SRUYR | WQFN-28 |
| MSPM0L2116SRHBR | VQFN-32 |
| MSPM0L2116SPTR | LQFP-48 |
| MSPM0L2116SRGER | VQFN-24 |
| MSPM0L2117SRGER | VQFN-24 |
| MSPM0L2117SRUYR | WQFN-28 |
| MSPM0L2117SRHBR | VQFN-32 |
| MSPM0L2117SPMR | LQFP-64 |
| MSPM0G5187SRGZR | VQFN 48 |
| MSPM0G1107TDGS28R | VSSOP-28 |
| MSPM0G1107TYCJR | DSBGA-28 |
| MSPM0G1506SYCJR | DSBGA-28 |
| AM5749ABZXEA | FCCSP-760 |
| TDA2PSXTQABZRQ1 | FCCSP-760 |
| TDA3LADBABFRQ1 | FCBGA-367 |
| ADBMS6830MWCCSZ | LQFP-80 |
| TDA2EGAHQABCRQ1 | FCBGA-760 |
| DRA724JGABCRQ1 | FCBGA-760 |
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
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