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포장 세부 사항:표준 패키지
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부품번호:SCT3060ARC14
구동 전압:18V
브그스 (맥스):+22V, -4V
부품번호:SCT3160KW7HRTL
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:5.6 V
강하 시간:9 나노 초
부품번호:SCT2080KEGC11
Rds에 - 드레인-소스 저항:80 모엠에스
브그스 - 게이트-소스 전압:- 6 V, + 22 V
부품번호:SCT3080KRC14
채널 수:1개 채널
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:10A, 18V에 있는 104mOhm
부품번호:SCT4045DEC11
전형적 턴 온 지연 시간:5.8ns
상승 시간:28 나노 초
부품번호:SCT4045DW7TL
드레인 - 소스 항복 전압:750V
게이츠 - 원천 누출 경향(최대):100nA
부품번호:SCT4026DEHRC11
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):4.8V @ 15.4mA
증가하는 타입:관통 홀
부품번호:SCT4062KEHRC11
채널 모드:향상
트랜지스터형:N채널 1개
부품번호:SCT4013DRC15
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):18V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:58A, 18V에 있는 16.9mOhm
부품번호:SCT2450KEGC11
앞으로 상호컨덕턴스 - 민:1 S
FET은 타이핑합니다:엔-채널