중국 집적 회로 칩

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  집적 회로 칩 IMW120R060M1H 1200V 이산 반도체 트랜지스터

  부문 번호:IMW120R060M1H

  VDS:1200 Ｖ

  츠올드:260 'Ｃ

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  탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

  부문 번호:IMW120R090M1H

  상품 카테고리:MOSFET

  패키지 / 케이스:TO-247-3

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  TO-263-8 패키지 IMBG120R030M1H 56A 엔-채널 한 개의 MOSFET 트랜지스터

  부문 번호:IMBG120R030M1H

  Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):800 Ｖ에 있는 2290 pF

  FET 특징:표준

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  홀 TO-247-4 IMZA65R030M1H 이산 반도체 MOSFET 트랜지스터를 통하여

  부문 번호:IMZA65R030M1H

  턴 온 지연 시간:22 나노 초

  상승 시간:16 나노 초

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  집적 회로 칩 IMW65R083M1H SiC MOSFET 엔-채널 650V 트랜지스터

  부문 번호:IMW65R083M1H

  채널 수:1

  최소 동작 온도:- 55 Ｃ

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  통합 회로 칩 AIMW120R035M1HXKSA1 자동차 단일 트랜지스터 TO-247-3

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 AIMW120R060M1HXKSA1 자동차 1200V N 채널 단일 트랜지스터

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  통합 회로 칩 AIMW120R080M1XKSA1 자동차 33A N 채널 단일 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 NVBG045N065SC1 N 채널 650 V 62A 242W 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 DG75X12T2 1200V 75A IGBT 전력 디스크리트 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 DG50X07T2 650V 50A IGBT 전력 디스크리트 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IMBG65R007M2H N 채널 650V 238A 트랜지스터 TO-263-8

  최소 주문 수량:10

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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