중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩 GS61008P-TR MOSFET 강화 GaN 트랜지스터

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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  통합 회로 칩 F2800157QRHBRQ1 120MHz 자동차 C2000 32비트 MCU VQFN32

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  통합 회로 칩 GS66502B-TR 650V 7.5A GaN E 모드 트랜지스터

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  통합 회로 칩 GS66508B-TR N 채널 MOSFET 650V 30A GaN 트랜지스터

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  통합 회로 칩 IGC54T65R3QE 650V IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터 100A

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  AD5254BRUZ50 융합 회로 칩 쿼드 256-포지션 I2C 비휘발성 메모리 디지털 잠재계

  부문 번호:AD5254BRUZ50

  저항 ::50kΩ

  온도 계수 ::300PPM/C

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  SN65HVD232DR 집적 회로 칩 3.3V CAN 트랜시버 SOIC8 CAN 버스 트랜시버

  부문 번호:SN65HVD232DR

  이중 통신:절반

  수신기 이력현상:100 mV

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  LT6654AHS6-2.5 융합 회로 칩 정밀 폭 공급 고 출력 드라이브 낮은 소음 참조

  부문 번호:LT6654AHS6-2.5

  출력 전압 ::2.5V

  초기 정확도::0.05 % 0.05 %

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  LT1976BEFE 집적 회로 칩 스텝 다운 스위칭 레귤레이터 200kHz 벅 레귤레이터

  부문 번호:LT1976BEFE

  기능:내려오다

  전압 - 출력 (분 / 고정):1.25V

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  TPS7A8500RGRR 집적 회로 칩 고정밀 초저전압 강하 전압 조정기 (Power Good 포함)

  부문 번호:TPS7A8500RGRR

  출력 전류 ::4 A

  출력의 수 ::1개 출력

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  NA555DR 펄스 형식 회로용 통합 회로 칩 정밀 타이머

  부문 번호:NA555DR

  내부 타이머 수 ::타이머 1명

  공급 전압 - 분 ::4.5V

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  L9963T 통합 회로 칩 자동차 일반 목적 SPI로 격리 된 SPI 송신기

  부문 번호:L9963T

  출력 전압 ::5.5V

  출력 전류 ::18 마

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