중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩 IKB30N65ES5ATMA1 고속 IGBT 트렌치 필드 스톱 650V 트랜지스터

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  통합 회로 칩 IKQ40N120CH3XKSA1 1200V 80A 500W IGBT 단일 트랜지스터 TO-247-3

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  통합 회로 칩 FCH104N60F-F085 자동차 N 채널 600V 37A 트랜지스터 TO-247-3

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  융합 회로 칩 RGS50TSX2GC11 IGBT 트렌치 필드 스톱 1200V 50A 395W 트랜지스터

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  통합 회로 칩 IKW20N60TFKSA1 고속 IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터 TO-247-3

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  통합 회로 칩 IMZ120R030M1HXKSA1 1200V 56A 실리콘 탄화물 트랜지스터 TO-247-4

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  통합 회로 칩 UF3C065080K3S 강화 SiC FET 트랜지스터 TO-247-3

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  융합 회로 칩 UF3C065080T3S N 채널 강화 SiC FET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 UJ3C065080K3S 31A 강화 SiC FET 트랜지스터 TO-247-3

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  통합 회로 칩 UJ3C065080T3S 650V 31A N 채널 SiC FET 트랜지스터 TO-220-3

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  IPW60R017C7 통합 회로 칩 600V N 채널 MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

  부품번호:IPW60R017C7

  브그스 (맥스):±20V

  전력 소모 (맥스):446W(Tc)

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  통합 회로 칩 IPW65R150CFDA 구멍 650V 전력 MOSFET 트랜지스터를 통해

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