중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩E2SB40E00000JE 40 MHz ±7ppm 크리스탈 12pF 4-SMD 납 없는

  부문 번호:E2SB40E00000JE

  드라이브 레벨:100μW

  션트 커패시턴스:3 pF

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  고성능 SAS35X48B0 12Gb/s SAS 확장기, 통합 회로 칩

  부품번호:SAS35X48B0

  외부 기억장치 인터페이스:8/16비트 플래시(6개 칩 포함) SRAM, NVSRAM 선택

  I2C 인터페이스:12

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  SS14-0B00-00 IC 칩 97 레인 25 포트 PCI Express Gen3 ExpressFabric 플랫폼

  부품번호:SS14-0B00-00

  레인:96

  잠재:150 나노 초

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  통합 회로 칩 E3SB40E00004EE 40 MHz ± 10ppm 크리스탈 12pF 4-SMD 납 없는

  부문 번호:E3SB40E00004EE

  공칭 주파수:40MHz

  저장 온도:-55°C ~ 125°C

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  통합 회로 칩 IKW40N65F5 IGBT 트랜지스터 650V 74A 255W 구멍을 통해 TO247-3

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IHW40N120R5 40A IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터 TO-247-3

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IHW30N120R5 1200V 60A IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IKD15N60R 600V 30A RC 드라이브 IGBT 트랜지스터 TO-252-3

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IKY40N120CS6 1200V 80A 500W 단일 IGBT 트랜지스터 TO-247-4

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IKW15N120H3 1200V 30A IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터 구멍을 통해

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IHW40N135R5 IGBT 트렌치 필드 스톱 트랜지스터 1350V 80A 394W 구멍을 통해

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IKD10N60RC2 600V 18.8A 단일 IGBT 트랜지스터 TO-252-3

  최소 주문 수량:10

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