중국 집적 회로 칩

• 

  홀 IXYH55N120C4 1200V 140A 650W 한 개의 IGBT 트랜지스터를 통한 TO-247-3

  부품번호:IXYH55N120C4

  수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:1.2 kV

  콜렉터-에미터 포화전압:2.5V

  지금 연락
• 

  전자 집적 회로 IXYH85N120C4 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 패키지

  부품번호:IXYH85N120C4

  중량:6 Ｇ

  작동 온도:-55' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ)

  지금 연락
• 

  홀을 통한 1200V IGBT 트랜지스터 IXYX110N120A4 집적 회로 칩 TO-247-3

  부품번호:IXYX110N120A4

  시험 조건:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V

  공급자 소자 패키지:(IXTH) TO-247

  지금 연락
• 

  TO-263-3 IXYA20N120B4HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 1200V는 회로칩을 통합했습니다

  부품번호:IXYA20N120B4HV

  패키지 / 건:TO-263HV-3

  시리즈:GenX4TM, XPTTM

  지금 연락
• 

  1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

  부품번호:IXYH55N120A4

  IGBT는 타이핑합니다:PT

  제품 상태:활동가

  지금 연락
• 

  단일 IGBT 트랜지스터 표면 실장 IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC 칩

  부품번호:IXYA20N120A4HV

  단일 가중치:2.500 Ｇ

  입력 유형:표준

  지금 연락
• 

  이그브츠 트랜지스터 IXYH16N250CV1HV TO-247-3 집적 회로 칩 2500V 고전압

  부품번호:IXYH16N250CV1HV

  게이트 입력 저항:5.8Ω

  조여진 유도성 부하:1500V

  지금 연락
• 

  650V 트랜지스터 IXXX140N65B4H1 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

  부품번호:IXXX140N65B4H1

  상품 종류:IGBT 트랜지스터

  Pd - 전력 소모:1.2Kw

  지금 연락
• 

  집적 회로 칩 IXBT14N300HV 표면 부착 한 개의 IGBT 트랜지스터

  부품번호:IXBT14N300HV

  Pd - 전력 소모:200 Ｗ

  기술:Si

  지금 연락
• 

  집적 회로 칩 IXYP60N65A5 650V IGBT 트랜지스터 TO-220-3 10kHz 단일 이그브츠

  부품번호:IXYP60N65A5

  시리즈:XPTTM, GenX5TM

  프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:15V, 36A에 있는 1.35V

  지금 연락
• 

  트랜지스터 RGT40TS65DGC13 IGBT 트렌치 분야는 TO-247-3 집적 회로 칩을 막습니다

  부품번호:RGT40TS65DGC13

  Pd - 전력 소모:144W

  다이오드 순방향 전류 (TC = 25' Ｃ):35A

  지금 연락
• 

  홀 집적 회로 칩을 통하여 IGBT 트랜지스터 IXYX40N250CHV TO-247-3을 선발하세요

  부품번호:IXYX40N250CHV

  경향 - 수집기 펄스용 (Icm):380A

  절환 에너지:11.7mJ (계속), (떨어져서 6.9mJ)

  지금 연락