중국 집적 회로 칩

• 

  통합 회로 칩 ISO7740FQDWRQ1 SOIC16 10.7ns 강화 된 디지털 격리장치

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락
• 

  통합 회로 칩 ISOW7743FDFMR SOIC20 5ns 쿼드 채널 디지털 격리장치

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락
• 

  통합 회로 칩 ADUM120N0WBRZ 3000 Vrms 듀얼 채널 디지털 격리장치

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락
• 

  통합 회로 칩 ADUM163N1BRZ 1.7V 150Mbps 디지털 격리 16-SOIC

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락
• 

  집적 회로 칩 IMZA65R083M1H 트랜지스터 페트스 모스페트스 TO-247-4

  부문 번호:IMZA65R083M1H

  다이오드 펄스 전류:143 A

  연속적인 다이오드 순방향 전류:53 A

  지금 연락
• 

  엔-채널 IMBG65R260M1H 탄화규소 한 개의 페트스 모스페트스 트랜지스터 TO-263-8

  부문 번호:IMBG65R260M1H

  채널 모드:향상

  상품 카테고리:MOSFET

  지금 연락
• 

  통합 회로 칩 ISO7330CQDWQ1 3000Vrms 3 채널 25Mbps 디지털 격리기

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락
• 

  집적 회로 칩 NTMYS5D3N04CTWG 엔-채널 모스페트스 트랜지스터 4-lfpak

  부문 번호:NTMYS5D3N04CTWG

  앞으로 상호컨덕턴스 - 민:53 Ｓ

  트랜지스터형:N채널 1개

  지금 연락
• 

  표면 부착 NTMFS6H818NLT1G 엔-채널 80V 이산 반도체 트랜지스터

  부문 번호:NTMFS6H818NLT1G

  Pd - 전력 소모:140 Ｗ

  드레인-소스 저항:3.2 모엠에스

  지금 연락
• 

  집적 회로 칩 MT29F4G08ABAFAWP-IT :Ｆ는 NAND 플래시 메모리 칩을 다중송신했습니다

  부문 번호:MT29F4G08ABAFAWP-IT :Ｆ

  조직:512 Ｍ Ｘ 8

  메모리 용량:4 그비트

  지금 연락
• 

  홀을 통한 집적 회로 칩 IXBH20N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터

  부문 번호:IXBH20N360HV

  전압 - 수집기 방출기 고장:3600 Ｖ

  경향 - 수집기:70 A

  지금 연락
• 

  통합 회로 칩 LTM4657IY 격리되지 않은 PoL 모듈 8A DC DC 변환기

  최소 주문 수량:10

  가격:Contact for Sample

  포장 세부 사항:표준 패키지

  지금 연락