중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩 IPU80R1K4P7 고성능 강화 MOSFET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 DMWSH120H90SM3Q 41A 246W 실리콘 탄화물 MOSFET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 MSC090SMA070SDT 강화 실리콘 탄화물 MOSFET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 BSC088N15LS5 150V 1N 채널 MOSFET 트랜지스터 SuperSO-8

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  통합 회로 칩 E3M0160120D 1200V 자동차 디스크리트 SiC MOSFET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 C3M0032120J1 1200V 디스크리트 SiC MOSFET 트랜지스터 TO-263-7

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  통합 회로 칩 IPP60R125CFD7 MOSFET 트랜지스터 600V 18A 구멍을 통해

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  트랜지스터 SCT3060ALGC11 집적 회로 칩 TO-247-3 엔-채널 모스페트스

  부품번호:SCT3060ALGC11

  (Typ.) (의) RDS:60MΩ

  배수 - 소스 전압:650V

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  전자 집적 회로 SCT4036KRHRC15 탄화규소 트랜지스터

  부품번호:SCT4036KRHRC15

  소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:1200 Ｖ

  작동 온도:175' Ｃ (TJ)

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  엔-채널 SCT4013DW7TL 한 개의 MOSFET 트랜지스터 TO-263-8 표면 부착

  부품번호:SCT4013DW7TL

  제품 상태:활동가

  브그스 (맥스):+21V, -4V

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  전자 집적 회로 SCT3160KLGC11 엔-채널 1200V 17A 트랜지스터

  부품번호:SCT3160KLGC11

  브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:2.7 Ｖ

  채널 모드:향상

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  집적 회로 칩 SCT3105KLGC11 엔-채널 1200 Ｖ 24A 트랜지스터

  부품번호:SCT3105KLGC11

  Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:137m옴 @ 7.6A, 18V

  Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):574pF @ 800V

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