부품번호:AFGHL50T65SQDC
수집기 대 이미터 전압:650V
게이트에서 이미터 전압:±20V
부품번호:AFGB30T65RQDN
접합 최고온도:175' Ｃ
패키지:TO-263
부품번호:AFGHL75T65SQD
경향 - 수집기 (Ic)는 - 한계에 이릅니다:80A
작동 온도(분):-55' Ｃ (TJ)
부품번호:AFGY100T65SPD
시험 조건:400V, 100A, 5Ohm, 15V
25' Ｃ에 있는 Td (on/off):36 ns/78ns
부품번호:AFGY120T65SPD
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):160 A
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:15V, 120A에 있는 2.05V
부품번호:AFGY160T65SPD-B4
게이트전하:245 nC
역회복 시간 (트르):132 나노 초
부품번호:FGA40T65SHD
게이트전하:72.2 nC
시험 조건:400V, 40A, 6Ohm, 15V
부품번호:AFGHL75T65SQDT
저포화 전압:VCE (앉히 ) = 1.6 Ｖ (Typ.) IC = 75 A에
전원(최대):375 Ｗ
부품번호:FGA40N65SMD
IGBT 유형:필드 스톱
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):80A
Part Number:FS32R294HBK0MJDT
핵심:e200z7
메모리:5.5 MB SRAM
부품번호:SP5746CSK1AMKU6
프로그램 메모리 규모:3 MB
데이터 램 크기:384 kB
부품번호:TPS61240TDRVRQ1
출력 구조:긍정
기능:증가
