부품번호:NXH35C120L2C2S1G
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):6.2 20 Ｖ에 있는 nF
입력:3상 브리지 정류 회로
부품번호:NXH35C120L2C2S1G
제품:IGBT 규소 모듈
구성:3-단계 인버터
부품번호:FAM65V05DF1
구성:3개 단계
전압:650 Ｖ
부품번호:NXV65HR82DZ1
타입:MOSFET
구성:에이취 브리지
부품번호:FAM65CR51DZ2
작동 온도:-40' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ)
SNTC 서미스터 브카테고리:예
부품번호:NXH300B100H4Q2F2PG
작동 온도:-40' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ)
SNTC 서미스터 브카테고리:예
부문 번호:NXH25T120L2Q1PTG
최대 작업 온도:+ 150 Ｃ
하위범주:IGBT
부품번호:NXH50M65L4C2SG
최대 작업 온도:+ 150 Ｃ
하위범주:IGBT
부품번호:NXH40T120L3Q1PG
구성:3-단계 인버터
콜렉터-에미터 포화전압:1.85 Ｖ
부문 번호:NXH40T120L3Q1SG
입력:3상 브리지 정류 회로
경향 - 집전기 절단 (맥스):400 uA
부문 번호:NXH450B100H4Q2F2SG
게이트 발산기 누설 전류:800 nA
Pd - 전력 소모:234 Ｗ
부문 번호:NXH80T120L3Q0S3G
경향 - 집전기 절단 (맥스):300µA
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:15V, 80A에 있는 2.4V
