부품번호:EP3C5F256C8N
실험실:321개 실험실
메모리:8MB
부품번호:EP3C5E144C8N
전체 지터:2.5 그비피스
빠른 수동적 대비:100MHz
부품번호:EP4CE55F23C8N
FIFO:47
활동적 대비:33MHz
부품번호:EP4CE10F17C8N
입력 전압:3.6V
I/O 핀 당 AC 전류:8 마
부품번호:10M08SAU169C8G
동작 주파수:최고 450까지 마하즈
길이:11 밀리미터
부품번호:EP4CE55F23I7N
자료 비율:최고 3.125까지 그비피스
재시행 버퍼:2 킬로바
부품번호:EP4CE6F17I7N
논리소:6K 내지 150K
임베디드 메모리:최고 6.3까지 Mb
부품번호:A3P250-FGG256I
시스템 성능:350 마하즈
PCI:64-비트
부품번호:A3P250-PQG208I
제품 상태:활동가
전체 RAM 비트:36864
부품번호:EP4CE6F17C8N
LABs/CLBs의 수:392
논리소 / 휴대폰의 번호:6272
부품번호:A3P250-PQG208
I/Os의 수:151 입출력
높이:3.4 밀리미터
부품번호:EP4CE30F23C8N
LABs/CLBs의 수:1803
논리소 / 휴대폰의 번호:28848
Korean
