부문 번호:MT62F768M32D2DS-023 자동:C
메모리 용량:24 그비트
데이터 버스 폭:32개 비트
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기억기접합:LVSTL
메모리구성:3G x 32
부문 번호:MT62F1G32D4DS-031 WT:B
공급 전압 - 맥스:1.05 V
기억기접합:대비
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공급 전압 - 민:1.7 V
공급 전압 - 맥스:1.95 V
부문 번호:MT62F1G32D4DS-031 AIT:B
클럭 주파수:3.2GHz
전압 - 공급:1.05V
부문 번호:MT62F2G64D8CZ-023 AIT:C
메모리 용량:128기가비트
데이터 버스 폭:64개 비트
부문 번호:MT62F1536M64D8EK-023 FAAT:C
전압 - 공급(최소):1.01V
전압 - 공급 (맥스):1.12V
부문 번호:MT62F1536M64D8EK-023 AIT:C
클럭 주파수:4.266 기가헤르츠
메모리구성:1.5G x 64
부문 번호:MT62F1536M64D8CZ-023 FAAT:C
메모리 용량:96 그비트
데이터 버스 폭:64개 비트
부문 번호:MT62F1G32D4DS-031 AAT:B
메모리 용량:32Gbit
메모리구성:1G X 32
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최대 클록 주파수:3.2 기가헤르츠
조직:512 M X 32
부문 번호:MT62F1G64D8EK-031 AIT:B
기억 영역형:휘발성 물질
메모리구성:1G X 64