중국 메모리 IC 칩

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  AT25SF2561C-SXUB 메모리 IC 칩 NOR 플래시 메모리 256Mbit SPI 시리즈 플래시 메모리 SOIC16

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  AT25SF2561C-MWUB 메모리 IC 칩 256Mbit SPI 시리즈 플래시 메모리 DFN8 또는 플래시 메모리

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  AT25QF2561C-SXUB 메모리 IC 칩 256Mbit NOR 플래시 메모리 SOIC16 SPI 시리즈 플래시 메모리

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  AT25QF2561C-MWUB 메모리 IC 칩 SPI NOR 플래시 메모리 256Mbit SPI 시리즈 플래시 메모리

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  S27KL0643GABHB023 메모리 IC 칩 64MBit 3V 자동차 유사 정적 RAM 메모리

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  S70KL1283GABHB020 메모리 IC 칩 128MBit 3V 자동차 옥탈 PSRAM 메모리 IC

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  64Mbit 집적 회로 칩 S27KS0642GABHM020 준에스램 메모리 칩 200MHz

  부문 번호:S27KS0642GABHM020

  기술:38 nm DRAM

  데이터 버스:8대 비트 데이터 버스

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  메모리용 IC S27KL0642GABHM023 집적 회로 칩 64Mbit 히페뷔스 메모리 칩

  부문 번호:S27KL0642GABHM023

  최대 클럭 주파수:200MHz

  최대 액세스 시간 (tACC):35 나노 초

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  집적 회로 칩 S26HS01GTGABHV020 표면 부착 24-VBGA 패키지 메모리용 IC

  부문 번호:S26HS01GTGABHV020

  메모리:1Gbit

  밀도:1024 메가비트

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  표면 부착 24-VBGA 패키지 S26HS512TGABHV003 512Mbit 히페뷔스 메모리용 IC

  부문 번호:S26HS512TGABHV003

  민감한 수분:네

  쓰기 주기 시간:1.7명의 부인

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  200MHz 준에스램 메모리용 IC S80KS5122GABHI020 FBGA24 집적 회로 칩

  부문 번호:S80KS5122GABHI020

  단일 단자 시계 (CK):11개의 버스 신호

  기술:25nm 드램

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  메모리 IC 칩 MT40A1G16KD-062E IT:E 16Gbit 병렬 1.6 GHz 메모리 IC

  부문 번호:MT40A1G16KD-062E 그것 :Ｅ

  기억 영역형:휘발성 물질

  메모리 포맷:DRAM

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