부문 번호:MT29F2G16ABBEAH4-AAT :Ｅ
조직:128 Ｍ Ｘ 16
기술:플래시 - NAND
부문 번호:MT29F2G08ABAEAH4-AITX :Ｅ
공급전류 - 맥스:35 마
공급 전압 - 민:2.7 Ｖ
부문 번호:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
패키지 / 케이스:48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
메모리구성:256M x 8
부문 번호:MT29F4G08ABBFAH4-AIT :Ｆ
프로그램 페이지:240us 온디 ECC와 (TYP는) 가능하게 했습니다
비행기의 번호:1
부문 번호:MT29F2G08ABAGAWP-IT :Ｇ
타이밍식:비동기
전압 - 공급(분):2.7V
부문 번호:MT29F4G08ABBFAH4-AAT :Ｆ
삭제 블록:2 부인 (TYP)
크기:9 밀리미터 × 11 밀리미터 × 1.0 밀리미터
부문 번호:MT29F8G08ADAFAWP-AAT :Ｆ
메모리구성:1G x 8
소자 사이즈:8Gb : 8,192개 블록
부문 번호:MT29F2G08ABAGAH4-ITE :Ｇ
패키지 / 케이스:VFBGA-63
메모리 용량:2 그비트
부문 번호:MT29F8G08ADAFAWP-AIT :Ｆ
조직:1 Ｇ Ｘ 8
기억 영역형:비휘발성입니다
부문 번호:MT29F4G01ABAFD12-AAT :Ｆ
에프비지에이 코드:NW931
Op. 임시.:-40C 내지 +105C
부문 번호:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
분야는 획일적 단위를 없앱니다:128kB
서브섹터는 쉽게 지워집니다:4KB
부문 번호:MT29F1G08ABBFAH4-ITE :Ｆ
타이밍식:비동기
밀도:1GB
Korean
