중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩 IPTG063N15NM5 OptiMOSTM 5 MOSFET N 채널 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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  통합 회로 칩 ISC010N06NM5 단일 N 채널 전원 MOSFET 1.05mΩ 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  통합 회로 칩 IPT039N15N5 OptiMOSTM 5 전력 MOSFET 150V 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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  융합 회로 칩 GAN039-650NBBHP 650V 갈륨 나이트라이드 FET 트랜지스터 CCPAK1212

  최소 주문 수량:10

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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  통합 회로 칩 BSC014N06NSSC 60V 261A 강화 모드 단일 트랜지스터

  최소 주문 수량:10

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  포장 세부 사항:표준 패키지

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  IKW50N65WR5 통합 회로 칩 650V 50A 단일 IGBT 트랜지스터 TO-247-3

  부문 번호:IKW50N65WR5

  단일 가중치:6.047g

  게이트 발산기 누설 전류:100 nA

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  IXTP160N10T 통합 회로 칩 N 채널 강화 모드 100V 160A 전력 MOSFET 트랜지스터

  부문 번호:IXTP160N10T

  FET은 타이핑합니다:엔-채널

  기술:MOSFET (금속 산화물)

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  BSC026N08NS5 통합 회로 칩 80V OptiMOSTM 5 전력 MOSFET 트랜지스터

  부문 번호:BSC026N08NS5

  기술:Si

  트랜지스터 극성:엔-채널

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  IPB100N04S4-H2 통합 회로 칩 40V OptiMOS-T2 자동차 MOSFET 트랜지스터

  부문 번호:IPB100N04S4-H2

  트랜지스터 극성:엔-채널

  Vds - 드레인-소스 항복 전압:40 Ｖ

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  IPDD60R050G7 통합 회로 칩 600V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터 HDSOP-10

  부문 번호:IPDD60R050G7

  트랜지스터 극성:엔-채널

  Vds - 드레인-소스 항복 전압:600 Ｖ

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  IPB042N10N3G 통합 회로 칩 100V OptiMOSTM 전력 MOSFET 트랜지스터 TO-263-3

  부문 번호:IPB042N10N3G

  시리즈:옵티모스티엠

  FET은 타이핑합니다:엔-채널

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  IPP051N15N5 통합 회로 칩 150V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터 TO-220-3

  부문 번호:IPP051N15N5

  높이:15.65mm

  길이:10 밀리미터

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