중국 집적 회로 칩

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  통합 회로 칩 IMZ120R030M1HXKSA1 1200V 56A 실리콘 탄화물 트랜지스터 TO-247-4

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  통합 회로 칩 UF3C065080K3S 강화 SiC FET 트랜지스터 TO-247-3

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  융합 회로 칩 UF3C065080T3S N 채널 강화 SiC FET 트랜지스터

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  통합 회로 칩 UJ3C065080K3S 31A 강화 SiC FET 트랜지스터 TO-247-3

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  통합 회로 칩 UJ3C065080T3S 650V 31A N 채널 SiC FET 트랜지스터 TO-220-3

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  IPW60R017C7 통합 회로 칩 600V N 채널 MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

  부품번호:IPW60R017C7

  브그스 (맥스):±20V

  전력 소모 (맥스):446W(Tc)

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  통합 회로 칩 IPW65R150CFDA 구멍 650V 전력 MOSFET 트랜지스터를 통해

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  통합 회로 칩 IPN70R600P7S 6.9W 전력 MOSFET 트랜지스터 TO-261-4

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  통합 회로 칩 IPN60R600PFD7S N 채널 6A MOSFET 트랜지스터 TO-261-4

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  통합 회로 칩 IPN60R600P7S 7W 단일 MOSFET 트랜지스터 TO-261-4

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  통합 회로 칩 SPA16N50C3 560V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터 TO-220-3

  부문 번호:SPA16N50C3

  소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:560V

  전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:16A (Tc)

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  통합 회로 칩 IPB038N12N3G 120V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

  부문 번호:IPB038N12N3G

  FET은 타이핑합니다:엔-채널

  기술:MOSFET (금속 산화물)

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