부품번호:MSCSM120SKM11CT3AG
증가하는 타입:섀시 마운트
전압 - 차단:4000Vrms
부품번호:MSCSM170AM058CT6LIAG
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):1000V에 있는 19800pF
기술:SIC
부품번호:MSCSM170AM039CT6AG
Rds 계속:5mOhm
펄스용 드레인전류:1000A
부품번호:MSCSM170AM058CD3AG
증가하는 타입:섀시 마운트
작동 온도:-40°C ~ 175°C(TJ)
부품번호:MSCSM170AM15CT3AG
저항 위의 드레인-소스:15 mΩ
전력 소모:862W
부품번호:MSCSM170AM23CT1AG
구성:2 n채널 (위상 레그)
VGS:20 Ｖ
부품번호:MSC40SM120JCU3
경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id):55A (Tc)
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):1mA에 있는 2.7V
부품번호:MSC130SM120JCU3
제품:IGBT 탄화규소 모듈
Vf - 순방향 전압:1.5 Ｖ
부품번호:MSCSM170AM45CT1AG
VDS:1700V
경향 - 연속배수:64A (Tc)
부품번호:MSCSM120DAM11CT3AG
Vf - 순방향 전압:1.5 180 A에 있는 Ｖ
강하 시간:25ns
부품번호:MSCSM70AM10CT3AG
상품 카테고리:분리된 반도체 모듈
Vf - 순방향 전압:1.5 100 A에 있는 Ｖ
부품번호:MSC130SM120JCU2
타입:승압초퍼
브그스 - 게이트-소스 전압:- 10V, + 25V
Korean
