중국 메모리 IC 칩

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  메모리 IC 칩 MT41K64M16TW-107 AUT:J 자동차 DDR3L SDRAM 96FBGA 메모리 IC

  부문 번호:MT41K64M16TW-107 AUT :Ｊ

  엑세스 시간:20 나노 초

  전압 - 공급:1.283V ~ 1.45V

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  SDRAM - DDR4 메모리용 IC MT40A4G8NEA-062E :Ｆ DDR4 32G 4GX8 에프비지에이 DDP

  부품번호:MT40A4G8NEA-062E :Ｆ

  상품 카테고리:DRAM

  엑세스 시간:13.75 나노 초

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  직접 회로 칩 MT53E512M32D1NP-046 WT:B 메모리 IC 200WFBGA IC 메모리 드램

  부품번호:MT53E512M32D1NP-046 WT :비

  패키지 / 건:200-wfbga

  사이즈:10 밀리미터 Ｘ 14.5 밀리미터

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  SDRAM 모바일 LPDDR5 메모리용 IC MT62F1G64D8CH-031 WT :비 BGA496 집적 회로 칩

  부품번호:MT62F1G64D8CH-031 WT :비

  메모리 용량:64Gbit

  메모리구성:1G Ｘ 64

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  집적 회로는 MT40A2G8SA-062E 그것을 자릅니다 :Ｆ SDRAM DDR4 메모리용 IC 78FBGA IC 칩

  부품번호:MT40A2G8SA-062E 그것 :Ｆ

  사이즈:7.5 밀리미터 Ｘ 11 밀리미터

  쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:15 나노 초

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  집적 회로는 MT40A1G16TB-062E 그것을 자릅니다 :Ｆ SDRAM DDR4 메모리용 IC 96FBGA 16Gbit 메모리 칩

  부품번호:MT40A1G16TB-062E 그것 :Ｆ

  기술:SDRAM - DDR4

  가짜 개방 드레인 입출력:1.2V

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  통합된 회로칩 MT40A1G16KH-062E AIT :Ｅ 1.6 기가헤르츠 DRAM DDR4 메모리용 IC

  부품번호:MT40A1G16KH-062E AIT :Ｅ

  타입:SDRAM - DDR4

  데이터 버스 폭:16비트

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  HYPERBUS 인터페이스와 S80KS5122GABHA023 집적 회로 칩 512Mb DRAM 메모리

  부문 번호:S80KS5122GABHA023

  기억기접합:히페뷔스

  클럭 주파수:200MHz

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  SDRAM DDR4 메모리용 IC MT40A512M16LY-062E AAT :Ｅ 집적 회로 칩 8Gbit 대비

  부품번호:MT40A512M16LY-062E AAT :Ｅ

  전압 - 공급:1.14V ~ 1.26V

  메모리 포맷:DRAM

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  S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

  부문 번호:S27KS0642GABHV020

  공급 전압 - 맥스:2 Ｖ

  공급 전압 - 민:1.7 Ｖ

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  S27KS0642GABHI033 200MHz 메모리 칩 셀프 리프레시 드램 24-에프비지에이 64Mbit 히페뷔스

  부문 번호:S27KS0642GABHI033

  메모리구성:8M Ｘ 8

  인터페이스 대역폭:400 MByte/s

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  집적 회로 칩 MT60B1G16HC-48B :SDRAM DDR5 메모리용 IC 102-VFBGA IC 칩

  부문 번호:MT60B1G16HC-48B :A

  기술:SDRAM - DDR5

  메모리구성:1G Ｘ 16

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