중국 메모리 IC 칩

• 

  메모리 IC 칩 MT40A1G16KH-062E AUT:E DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA

  부문 번호:MT40A1G16KH-062E AUT :Ｅ

  상품 카테고리:DRAM

  공급 전압 - 맥스:1.26 Ｖ

  지금 연락
• 

  MT40A1G16KNR-062E :Ｅ SDRAM - DDR4 메모리용 IC 16Gbit 대비 1.6 기가헤르츠 19 나노 초 96 에프비지에이

  부품번호:MT40A1G16KNR-062E :Ｅ

  시리즈:MT40A

  기억 영역형:휘발성 물질

  지금 연락
• 

  메모리 IC 칩 MTA18ASF2G72HZ-2G6E1 메모리 카드 모듈 DDR4 SDRAM 16GB 260-SODIMM

  부문 번호:MTA18ASF2G72HZ-2G6E1

  전송 속도 (Mb / Ｓ, MT / Ｓ, 마하즈):2666

  작동 공급 볼트아그:1.2 Ｖ

  지금 연락
• 

  집적 회로 MT53E512M32D1ZW-046 AUT을 자르느요 :비 SDRAM 모바일 메모리용 IC

  부품번호:MT53E512M32D1ZW-046 AUT :비

  기억 영역형:휘발성 물질

  메모리 포맷:DRAM

  지금 연락
• 

  메모리 IC 칩 MT41K64M16TW-107 AUT:J 자동차 DDR3L SDRAM 96FBGA 메모리 IC

  부문 번호:MT41K64M16TW-107 AUT :Ｊ

  엑세스 시간:20 나노 초

  전압 - 공급:1.283V ~ 1.45V

  지금 연락
• 

  SDRAM - DDR4 메모리용 IC MT40A4G8NEA-062E :Ｆ DDR4 32G 4GX8 에프비지에이 DDP

  부품번호:MT40A4G8NEA-062E :Ｆ

  상품 카테고리:DRAM

  엑세스 시간:13.75 나노 초

  지금 연락
• 

  직접 회로 칩 MT53E512M32D1NP-046 WT:B 메모리 IC 200WFBGA IC 메모리 드램

  부품번호:MT53E512M32D1NP-046 WT :비

  패키지 / 건:200-wfbga

  사이즈:10 밀리미터 Ｘ 14.5 밀리미터

  지금 연락
• 

  SDRAM 모바일 LPDDR5 메모리용 IC MT62F1G64D8CH-031 WT :비 BGA496 집적 회로 칩

  부품번호:MT62F1G64D8CH-031 WT :비

  메모리 용량:64Gbit

  메모리구성:1G Ｘ 64

  지금 연락
• 

  집적 회로는 MT40A2G8SA-062E 그것을 자릅니다 :Ｆ SDRAM DDR4 메모리용 IC 78FBGA IC 칩

  부품번호:MT40A2G8SA-062E 그것 :Ｆ

  사이즈:7.5 밀리미터 Ｘ 11 밀리미터

  쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:15 나노 초

  지금 연락
• 

  집적 회로는 MT40A1G16TB-062E 그것을 자릅니다 :Ｆ SDRAM DDR4 메모리용 IC 96FBGA 16Gbit 메모리 칩

  부품번호:MT40A1G16TB-062E 그것 :Ｆ

  기술:SDRAM - DDR4

  가짜 개방 드레인 입출력:1.2V

  지금 연락
• 

  통합된 회로칩 MT40A1G16KH-062E AIT :Ｅ 1.6 기가헤르츠 DRAM DDR4 메모리용 IC

  부품번호:MT40A1G16KH-062E AIT :Ｅ

  타입:SDRAM - DDR4

  데이터 버스 폭:16비트

  지금 연락
• 

  HYPERBUS 인터페이스와 S80KS5122GABHA023 집적 회로 칩 512Mb DRAM 메모리

  부문 번호:S80KS5122GABHA023

  기억기접합:히페뷔스

  클럭 주파수:200MHz

  지금 연락