중국 메모리 IC 칩

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  메모리 IC 칩 S70KL1283DPBHA023 128Mbit 휘발성 PSRAM 메모리 24-VBGA

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  메모리 IC 칩 S25FL064LABNFI010 64Mbit SPI 108 MHz FLASH - NOR 메모리 IC

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  메모리 IC 칩 S25FL064LABBHV030 2.7V ~ 3.6V 최대 108MHz NOR 메모리 IC TBGA24

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  메모리 IC 칩 S25FL064LABBHA023 108MHz 시리즈 NOR 메모리 IC BGA24 표면 장착

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  메모리 IC 칩 S25FL064LABMFA000 108MHz NOR 메모리 IC Serial Quad SPI 플래시

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  집적 회로 칩 S29JL064J55BHI003 64Mbit은 55 나노 초 NOR 메모리용 IC을 평행시킵니다

  부문 번호:S29JL064J55BHI003

  메모리 용량:64Mbit

  메모리구성:8M Ｘ 8, 4M Ｘ 16

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  1Gbit은 메모리 칩 S70FL01GSDPMFI010이 회로를 통합하 도 또한 16-SOIC IC 칩을 자르느요

  부문 번호:S70FL01GSDPMFI010

  CMOS 핵심:3.0 Ｖ

  프로그래밍:1.5 마바이트스 / Ｓ

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  IC 칩 S25FL256SAGBHIA13 NOR 메모리용 IC 256Mbit SPI - 쿼드 입출력 133 마하즈 24-bga

  부문 번호:S25FL256SAGBHIA13

  쉽게 지워지세요:0.5 0.65 메가보우에

  프로그래밍:1.5Mbps

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  메모리용 IC 8-SOIC 64Mbit 메모리가 108MHz를 자르 도 또한 IC 칩 S25FL064LABMFM013은 번쩍거립니다

  부문 번호:S25FL064LABMFM013

  밀도:64 메가비트

  CMOS 입출력과 단전원:2.7 3.6 Ｖ에 대한 Ｖ

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  IC 칩 MT28EW128ABA1LPC-0SIT 128Mbit은 95 나노 초 64 LBGA NOR 메모리용 IC을 평행시킵니다

  부문 번호:MT28EW128ABA1LPC-0SIT

  기억기접합:대비

  밀도:128MB

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  NOR 메모리용 IC MT25QU512ABB8ESF-0AAT 전자 집적 회로 표면 부착

  부문 번호:MT25QU512ABB8ESF-0AAT

  최소 동작 온도:- 40C

  최대 작업 온도:+ 105 Ｃ

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  NOR 메모리용 IC MT25QL01GBBB8E12-0SIT 1Gbit 표면 부착 집적 회로 칩

  부문 번호:MT25QL01GBBB8E12-0SIT

  핀 형상:리셋과 유지

  특별 옵션:표준

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