부문 번호:S70KL1283GABHV023
데이터 버스:8-비트
클락 레이트:200-MHz
부문 번호:S27KS0642GABHI020
메모리구성:8M Ｘ 8
기억기접합:히페뷔스
부문 번호:S70KS1283GABHB023
메모리 포맷:퍼슈도스태틱 메모리
기억기접합:SPI - 8진법 입출력
부문 번호:S80KS5123GABHA020
초기 접근 시간:35 나노 초
대역폭:400 MByte/s
부문 번호:S27KL0642GABHI020
클럭 주파수:200MHz
엑세스 시간:35 나노 초
부문 번호:S80KS2563GABHV023
클락 레이트:1.8 Ｖ
대기:105 'Ｃ
부문 번호:S80KS2562GABHI020
인더스트리얼 (I):+85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
인터페이스 지지:1.8 Ｖ / 3.0 Ｖ
부문 번호:S80KS5123GABHI020
메모리 용량:512 메가비트
최대 클록 주파수:200MHz
부문 번호:S27KS0642GABHM023
기술:퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
버스트 판독 또는 기입:30mA
부문 번호:S70KS1282GABHV023
인터페이스 지지:1.8 Ｖ / 3.0 Ｖ
작동 온도(분):-40' Ｃ (TA)
부문 번호:S27KS0642GABHB023
기술:38 nm DRAM
DRAM:38 nm
부문 번호:S70KL1282GABHB030
래핑한 버스트 길이:128 바이트 (64개 시계)
선 폭발:64 MB
Korean
